文｜芯世相
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商在持續(xù)開(kāi)發(fā)和交付基于傳統(tǒng)硅技術(shù)的設(shè)備，但硅已接近它的性能極限，并面臨來(lái)自 GaN 和 SiC 等技術(shù)的日益激烈的競(jìng)爭(zhēng)。
作為回應(yīng)，業(yè)界正在尋找擴(kuò)展傳統(tǒng)的硅基功率器件的方法。至少在短期內(nèi)，芯片制造商正在努力提高性能并延長(zhǎng)技術(shù)的應(yīng)用時(shí)間。
功率半導(dǎo)體是用于從低壓到高壓多種應(yīng)用場(chǎng)景的專(zhuān)用晶體管，例如汽車(chē)、工業(yè)、電源、太陽(yáng)能和火車(chē)。這些晶體管像設(shè)備中的開(kāi)關(guān)一樣工作，允許電流在“開(kāi)”狀態(tài)下流動(dòng)并在“關(guān)”狀態(tài)下停止。它們提高了設(shè)備的運(yùn)作效率，并最大限度地減少了設(shè)備系統(tǒng)中的能量損失。
多年來(lái)，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)一直由硅基器件主導(dǎo)，即功率 MOSFET、超結(jié)功率 MOSFET 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。這些硅基器件于上世紀(jì)70年代首次實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，如今幾乎在每個(gè)系統(tǒng)中都能找到。這些產(chǎn)品在技術(shù)上比較成熟且價(jià)格低廉，但它們也有一些缺點(diǎn)，并且在某些情況下達(dá)到了理論性能極限。
這就是為什么許多供應(yīng)商也在開(kāi)發(fā)和交付基于兩種寬帶隙半導(dǎo)體——氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的新型功率器件。在一段時(shí)間里，市場(chǎng)上GaN和硅基功率器件在不同領(lǐng)域與硅基IGBT和硅基MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。雖然GaN 和 SiC 器件效率更高，但它們也更昂貴。
總的來(lái)說(shuō)，這些不同類(lèi)型的功率半導(dǎo)體為客戶提供了選擇，但它們也增加了一定程度的混亂。事實(shí)證明，沒(méi)有一種功率器件可以滿足系統(tǒng)中的所有要求。這就是客戶需要一系列具有不同額定電壓和價(jià)位的選項(xiàng)的原因。
GaN 和 SiC 器件在近期備受關(guān)注。它們是新一代半導(dǎo)體，并提供了各種令人印象深刻的屬性。但成熟的硅基器件也很重要，它們不僅不會(huì)很快消失，而且會(huì)繼續(xù)發(fā)展，盡管速度比前幾年慢。
全球最大功率半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌的應(yīng)用管理總監(jiān) Bob Yee 表示：“今天我們看到，即使寬帶隙技術(shù)出現(xiàn)，硅仍將是功率MOSFET的主導(dǎo)形式，約占市場(chǎng)的60%?！?/p>
他還表示：“寬帶隙將填補(bǔ)并占據(jù)硅的空間，從而增加更多價(jià)值，并將在硅無(wú)法實(shí)現(xiàn)的地方實(shí)現(xiàn)新的應(yīng)用。也就是說(shuō)，寬帶隙是對(duì)硅的補(bǔ)充，但在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，硅仍將是主力?！?/p>
換句話說(shuō)，所有技術(shù)都有一席之地?？偠灾?，基于硅的功率半導(dǎo)體器件，包括 IGBT 和 MOSFET在內(nèi)，仍占整個(gè)市場(chǎng)份額的 80% 左右。如今在硅的競(jìng)技場(chǎng)上已經(jīng)發(fā)生了幾項(xiàng)大事，包括：
- 供應(yīng)商正在推出新系列的硅基功率MOSFET、超級(jí)結(jié)器件和IGBT。
- 在研發(fā)方面，業(yè)界正在推進(jìn)基于硅的 MOSFET 和 IGBT。
- Lam Research 和其他公司開(kāi)發(fā)了用于功率半導(dǎo)體的新設(shè)備。
功率半導(dǎo)體用于電力電子領(lǐng)域，使用固態(tài)設(shè)備，用電力電子控制、轉(zhuǎn)換各種系統(tǒng)中的電力，例如汽車(chē)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電源、太陽(yáng)能和風(fēng)力渦輪機(jī)。
這些器件不同于傳統(tǒng)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。當(dāng)今的數(shù)字 CMOS FET 由構(gòu)建在硅頂部的源極、柵極和漏極組成。在操作中，向柵極施加電壓，使電流從源極流向漏極。
相比之下，IGBT 和大多數(shù)功率 MOSFET 是垂直器件，源極和柵極位于器件頂部，漏極位于底部。在操作中，向柵極施加電壓并且電子沿垂直方向移動(dòng)，垂直方向支持更高的電流和電壓。
同樣地，它們還有其他差異。在傳統(tǒng)的 MOSFET 中，芯片制造商在其每一代都會(huì)縮小晶體管的特征尺寸，從而使芯片具有更高的晶體管密度。在功率器件中，供應(yīng)商也在縮小晶體管，但還沒(méi)有達(dá)到數(shù)字 CMOS 的程度。
Lam Research戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)總監(jiān) Michelle Bourke 表示：“如果要探討 MOSFET 和 IGBT，它們?cè)谝?guī)模和效率方面其實(shí)正在經(jīng)歷自己的發(fā)展軌跡?！?“有些人可能會(huì)說(shuō)，與 CMOS 相比，它們的功能很強(qiáng)大。但是，為達(dá)到該設(shè)備性能所需的垂直度和配置文件控制，這與我們?cè)诠局杏龅降腃MOS 問(wèn)題一樣具有挑戰(zhàn)性。因此，雖然從設(shè)備的角度來(lái)看，這些功能仍然很強(qiáng)大，但從開(kāi)發(fā)的角度來(lái)看，這是我們完成的最具挑戰(zhàn)性的過(guò)程之一。我們正在實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)?！?/p>
通常來(lái)說(shuō)，對(duì)于功率半導(dǎo)體最重要的考慮因素是其他參數(shù)，例如電壓 (V)、Rds(on)和柵極電荷。每個(gè)功率半導(dǎo)體器件都有一個(gè)額定電壓(V)?！癡DSS 中的 'V' 是最大允許工作電壓，或漏源電壓規(guī)格?！盓PC 首席執(zhí)行官 Alex Lidow 解釋道。
On電阻或Rds（On）是源極和漏極之間的電阻值，柵極電荷是開(kāi)啟設(shè)備的電荷量，Rds(on)x A(area) 很重要?！鞍雽?dǎo)體業(yè)務(wù)的成本優(yōu)化一直與芯片縮小相關(guān)，此規(guī)則也適用于功率器件。Ron x A 是一個(gè)關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)，它描述了提供功率器件的特定器件性能所需的硅面積。通常，當(dāng)我們開(kāi)發(fā)新的電源技術(shù)時(shí)，我們通過(guò)降低新技術(shù)的 Ron x A 來(lái)獲得的成本優(yōu)勢(shì)超過(guò)了通常更復(fù)雜的生產(chǎn)過(guò)程的額外成本。這些成本效益可以移交給客戶，這是降低成本路線圖的核心?！庇w凌的 Yee 說(shuō)。
為了適應(yīng)不同的應(yīng)用，目前有多種功率半導(dǎo)體選項(xiàng)可供選擇。在硅方面，可選擇的包括功率 MOSFET、超結(jié)功率 MOSFET 和 IGBT：
功率 MOSFET 被認(rèn)為是最便宜和最受歡迎的器件，用于適配器、電源和其他產(chǎn)品，用于 25 V-500 V的應(yīng)用。
超結(jié)功率 MOSFET 是增強(qiáng)型 MOSFET，用于 500 V-900 V系統(tǒng)。同時(shí)，領(lǐng)先的中端功率半導(dǎo)體器件是用于 1,200 V-6.6 kV應(yīng)用的 IGBT。
硅基功率器件在各個(gè)領(lǐng)域與 GaN 和 SiC 競(jìng)爭(zhēng)。GaN 和 SiC 都具有一些令人印象深刻的特性。SiC 提供 10 倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和 3 倍的硅帶隙，GaN 則超過(guò)了這些數(shù)字。
“寬帶隙半導(dǎo)體具有關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，但它們將與基于硅的技術(shù)并行存在?！盠am Research 戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)董事總經(jīng)理 David Haynes 說(shuō)?！盎诠璧募夹g(shù)將持續(xù)很長(zhǎng)時(shí)間，它們非常成熟，而在基于硅的功率器件方面，也在進(jìn)行著大量的研究和技術(shù)開(kāi)發(fā)?！?/p>
1969 年，日立公司向我們介紹了世界上第一個(gè)功率 MOSFET。隨著時(shí)間的推移，越來(lái)越多的公司加入到功率 MOSFET 市場(chǎng)，功率 MOSFET 同時(shí)也發(fā)展成一項(xiàng)大產(chǎn)業(yè)。
根據(jù) Yole Développement 的數(shù)據(jù)，2020 年，整個(gè)功率 MOSFET 市場(chǎng)的業(yè)務(wù)規(guī)模為 75 億美元。Yole 稱(chēng)，該市場(chǎng)正以每年 3.8% 的平穩(wěn)速度增長(zhǎng)。其中，英飛凌是最大的功率 MOSFET 供應(yīng)商，其次是許多其他供應(yīng)商。
功率 MOSFET 用于 25 V- 500 V的應(yīng)用，幾乎在每個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)中都可以找到。通常來(lái)說(shuō)，它們由 200 mm和 300 mm的晶圓廠制造。
多年來(lái)，功率 MOSFET 得到了改進(jìn)。根據(jù) B. Jayant Baliga 在其《功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》一書(shū)中的說(shuō)法，在上世紀(jì)70年代，第一批器件是基于平面柵極結(jié)構(gòu)。Baliga 是 IGBT 的發(fā)明者，一名來(lái)自北卡羅來(lái)納州立大學(xué)的教授。
這個(gè)功率 MOSFET 的頂部有一個(gè)源極和柵極，底部有一個(gè)漏極，它有時(shí)也被稱(chēng)為平面功率 MOSFET。
根據(jù) Baliga 的說(shuō)法，在上世紀(jì)90年代，供應(yīng)商轉(zhuǎn)向基于溝槽的柵極結(jié)構(gòu)，它仍然是一個(gè)垂直設(shè)備，但基于溝槽的功率 MOSFET 不具有水平柵極結(jié)構(gòu)，而是在結(jié)構(gòu)中具有垂直柵極。這種基于溝槽的功率 MOSFET 能夠以更小的芯片尺寸實(shí)現(xiàn)更高的密度。
隨著時(shí)間的推移，供應(yīng)商根據(jù)應(yīng)用同時(shí)使用了平面和垂直柵極。他們還利用了設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的各種創(chuàng)新，以便繼續(xù)改進(jìn)產(chǎn)品。
例如，最近英飛凌推出了最新的功率 MOSFET 系列 — OptiMOS 6。這些器件的 Rds(on) 比上一代產(chǎn)品低 18%。
其他供應(yīng)商也正在出貨新的功率 MOSFET。此外，它們正在研究更新的技術(shù)，例如，Applied Novel Devices (AND) 正在開(kāi)發(fā)具有類(lèi) GaN 性能的功率 MOSFET，SkyWater 是 AND 的代工合作伙伴。
“隨著硅的每一代迭代，我們減小了溝槽的單元間距。”英飛凌的 Yee 說(shuō)?！斑@就是說(shuō)我們正在降低 Rds x A ，這會(huì)導(dǎo)致品質(zhì)因數(shù)較低，從而使應(yīng)用程序更快地切換。Rds x A 的降低使供應(yīng)商能夠降低 MOSFET 的總體成本，同時(shí)提高性能。”
盡管如此，推進(jìn)功率 MOSFET 仍存在挑戰(zhàn)?！霸诒３制骷崽匦缘耐瑫r(shí)，進(jìn)一步降低性能因數(shù)[Rds（on）x柵極電荷]，始終是一個(gè)挑戰(zhàn)?！盰ee說(shuō)。
雖然供應(yīng)商正在尋找通過(guò)新設(shè)備獲得更高性能的方法，但他們也在調(diào)整晶圓廠的制造工藝。一般來(lái)說(shuō)，功率MOSFET工藝已經(jīng)成熟，但也存在一些問(wèn)題。
在晶圓廠中，供應(yīng)商對(duì)平面柵極和溝槽柵極功率 MOSFET 使用了許多相同的工藝步驟，但存在關(guān)鍵差異。這兩種技術(shù)的第一步都是在襯底上沉積一層薄的 N+ 外延層，該層稱(chēng)為漂移區(qū)。
在器件上沉積掩模層，掩模層覆蓋設(shè)備頂部，但設(shè)備兩側(cè)的邊緣除外。根據(jù)Baliga 的說(shuō)法，邊緣植入了P型摻雜劑。
epi堆疊的厚度是關(guān)鍵。外延層的厚度與最終器件的阻斷電壓直接相關(guān)。根據(jù)AOS萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體的說(shuō)法：“例如，更厚、更輕摻雜的epi（堆棧）支持更高的擊穿電壓，但導(dǎo)通電阻增加?！比缓螅谄骷闲纬蓽喜?。溝槽的尺寸由原始設(shè)計(jì)確定。在某些情況下，溝槽尺寸可能為1.5μm或更小。
為了形成溝槽，還要在器件上沉積另一個(gè)掩模層。這次，中間部分被暴露，其中注入了N型摻雜劑。
為了形成溝槽，還要在表面上沉積氧化物，溝槽被圖案化，然后被蝕刻。溝槽填充有柵極材料，最后形成源極和漏極。
所有這些步驟都很重要，尤其是蝕刻過(guò)程。使用蝕刻工具，功率MOSFET中的溝槽通常使用SF6/O2等離子體工藝進(jìn)行蝕刻。
KLA公司SPTS產(chǎn)品管理副總裁戴夫·托馬斯（Dave Thomas）說(shuō)：“這是大多數(shù)晶圓廠使用的方法。側(cè)壁平滑度和底部圓整度是關(guān)鍵。SF6/O2方法讓你對(duì)硬口罩有合理的選擇性，并允許你擁有相對(duì)較高的深度和縱橫比。SF6/O2連續(xù)法的一個(gè)限制是你將要達(dá)到的絕對(duì)深度，你只能達(dá)到一個(gè)不能再保持側(cè)壁質(zhì)量的特定點(diǎn)。這是由于防止硅蝕刻移動(dòng)和通過(guò)氧化保護(hù)蝕刻側(cè)壁之間的微妙平衡（即平衡SF2和O2的比率）。因此，對(duì)于更深層次的結(jié)構(gòu)，Bosch工藝（一種刻蝕工藝）更合適。然而，關(guān)鍵點(diǎn)是通過(guò)最小化Bosch蝕刻扇形孔，使側(cè)壁光滑。”
功率 MOSFET 也有一些局限性，因此在幾年前，業(yè)界開(kāi)發(fā)了超結(jié)功率MOSFET。超結(jié)器件仍以硅為基礎(chǔ)，用于 500 V-900 V的應(yīng)用。
這些器件類(lèi)似于功率 MOSFET。最大的區(qū)別在于，超結(jié)功率MOSFET在結(jié)構(gòu)內(nèi)由垂直的高縱橫比P/N柱組成，具有一些優(yōu)勢(shì)。
“超結(jié)功率 MOSFET 可在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率。其次，它為關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用提供了可靠性?！庇w凌的 Yee 說(shuō)?！懊恳淮?，我們都在不斷改進(jìn)設(shè)備參數(shù)，例如Rds(on)、降低柵極電荷以及Eoss（存儲(chǔ)在輸出電容中的能量）?！?/p>
事實(shí)上，這些設(shè)備還在不斷發(fā)展。例如，英飛凌的超結(jié)功率 MOSFET 系列，稱(chēng)為 CoolMOS，目前已進(jìn)入第七代，新一代正在醞釀之中。此外，Alpha 和 Omega、Magnachip、Rohm、Toshiba 等公司正在出貨新的超結(jié)功率 MOSFET。
然而，一般來(lái)說(shuō)，超結(jié)技術(shù)正在達(dá)到自己的極限?！敖?jīng)過(guò) 20 年的發(fā)展，超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 在 Rds(on)x A 方面存在物理限制，但仍然會(huì)有幾代超級(jí)結(jié)的改進(jìn)。寬帶隙的出現(xiàn)無(wú)疑將在未來(lái)幾年接替這種對(duì)性能提升的追求。重申一下，在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，超結(jié) MOSFET 將與寬帶隙技術(shù)共存?！盰ee 說(shuō)。
供應(yīng)商仍在尋找擴(kuò)展超結(jié)器件的方法，但也存在一些挑戰(zhàn)。按照傳統(tǒng)，為了在晶圓廠中制造超級(jí)結(jié) MOSFET，供應(yīng)商會(huì)在基板上堆疊多個(gè)外延層。在每一層都有一個(gè)掩膜和注入步驟，這又在器件中形成 P 型柱，然后形成源極、漏極和柵極。
這種方法有效，但產(chǎn)生的 N 型和 P 型結(jié)構(gòu)更大，這反過(guò)來(lái)又會(huì)影響芯片尺寸。
因此，在 2008 年，DENSO公司開(kāi)發(fā)了一種不同的方法，并在市場(chǎng)上獲得了成功。在該流程中，N型外延層沉積在襯底上，接下來(lái)，使用蝕刻工具，在外延層中以高縱橫比形成垂直溝槽。
接著，根據(jù)DENSO的說(shuō)法，P 型材料被沉積在溝槽中，形成 P 型柱。這導(dǎo)致設(shè)備具有交替的 P/N 列。形成柵極、源極和漏極。
“（這種方法）改善了擊穿電壓和特定導(dǎo)通電阻之間的權(quán)衡關(guān)系?！盌ENSO 的 Jun Sakakibara 在 2008 年的原始論文中說(shuō)。
這里存在一些制造挑戰(zhàn)，即在結(jié)構(gòu)內(nèi)制作高縱橫比(HAR)溝槽。
“制造超級(jí)結(jié) MOSFET 有不同的機(jī)制，其中許多涉及高縱橫比溝槽蝕刻。這些縱橫比可以是 40:1 到 50:1，并且越來(lái)越多的縱橫比可以高達(dá) 80:1 或 100:1。這是硅蝕刻的一系列新挑戰(zhàn)。與 IGBT 或傳統(tǒng) MOSFET 溝槽不同，這些極深的 HAR 超級(jí)結(jié) MOSFET 溝槽無(wú)法使用 CMOS 制造中使用的穩(wěn)態(tài)蝕刻工藝類(lèi)型進(jìn)行蝕刻?！盠AM 的 Haynes 說(shuō)。
換句話說(shuō)，它需要一種不同的解決方案，即反應(yīng)離子蝕刻(RIE)工具?！八鼈冃枰褂蒙疃确磻?yīng)離子蝕刻工藝進(jìn)行蝕刻，該工藝在蝕刻和側(cè)壁鈍化沉積之間切換，以實(shí)現(xiàn)深度蝕刻能力?！盚aynes 說(shuō)。
在 RIE 中，第一步是蝕刻掉結(jié)構(gòu)的一部分，然后將其鈍化。然后重復(fù)該過(guò)程，直到蝕刻完成。這稱(chēng)為Bosch工藝。
多年來(lái)，一些供應(yīng)商已經(jīng)為這些應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)了 RIE 工具。例如，LAM 最近推出了一種新的 RIE 工具設(shè)計(jì)來(lái)應(yīng)對(duì) HAR 挑戰(zhàn)。LAM 的新工具 Syndion GP 為所有功率器件和其他產(chǎn)品提供深度硅蝕刻能力，它支持 200mm 和 300mm 晶圓。
“我們制造功率器件的客戶可能在同一條生產(chǎn)線上制造 IGBT、MOSFET 和 SJ-MOSFET，因此在開(kāi)發(fā) Syndion GP 工具時(shí)，我們希望在同一工具中同時(shí)提供穩(wěn)定狀態(tài)和深度 RIE 工藝的功能?！盚aynes 說(shuō)。
與此同時(shí)，IGBT 仍然是領(lǐng)先的中檔功率器件。IGBT 作為一種垂直器件，結(jié)合了 MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度和雙極器件的導(dǎo)電性。
據(jù) Yole 稱(chēng)，IGBT 在 2020 年的業(yè)務(wù)價(jià)值為 54 億美元，預(yù)計(jì)每年增長(zhǎng) 7.5%。富士、英飛凌、Littlefuse、三菱、安森美、東芝等都在這里展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。
這些器件用于汽車(chē)、消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用。在一些電池電動(dòng)汽車(chē)(BEV)中，IGBT 用于牽引逆變器，它為電機(jī)提供牽引力以驅(qū)動(dòng)車(chē)輛。
特斯拉在其 Model 3 BEV 中使用具有競(jìng)爭(zhēng)力的 SiC 功率器件作為牽引逆變器。展望未來(lái)，BEV 制造商可能會(huì)同時(shí)將 IGBT 和 SiC 器件用于功率逆變器。
多年來(lái)，IGBT 得到了改進(jìn)。去年，英飛凌推出了基于其第七代 IGBT 系列的新模塊?；谖D案溝槽技術(shù)，這些器件的開(kāi)關(guān)損耗比之前的產(chǎn)品低 24%。
與功率 MOSFET 一樣，IGBT 由平面或溝槽柵極結(jié)構(gòu)組成。在更先進(jìn)的基于溝槽的 IGBT 中，該工藝首先在襯底上沉積四個(gè)交替外延層(PNPN)。
表面經(jīng)過(guò) P 型注入步驟，之后，為了形成溝槽，對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)圖和蝕刻，然后用柵極材料填充溝槽結(jié)構(gòu)。最后，采用沉積技術(shù)，在頂部形成發(fā)射極，在底部形成集電極。
IGBT 已經(jīng)存在了幾十年，但最新的器件面臨著一些制造挑戰(zhàn)?！叭绻悴捎?IGBT，就會(huì)通過(guò)制造越來(lái)越薄的晶圓來(lái)降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)提高功率密度。當(dāng)你增加功率密度時(shí)，你會(huì)增加溝槽的密度，可以從過(guò)去是方形或六邊形的單元陣列，變成非常密集的溝槽?！盠AM 的 Haynes 說(shuō)。
溝槽的縱橫比也增加了?！艾F(xiàn)在使用的特征尺寸可能是 7 到 10 微米深，隨著圖案密度的接近，縱橫比正在增加，但在 RIE 蝕刻工藝中，需要良好的輪廓控制。它們?cè)诜浅８叩碾妷合鹿ぷ?，溝槽的任何畸形或溝槽輪廓的任何不均勻都可能?dǎo)致故障。”Haynes 說(shuō)。
還有其他挑戰(zhàn)。“在晶圓的正面，你正在對(duì)柵極和源極 (MOSFET)/發(fā)射極 (IGBT) 連接進(jìn)行接觸金屬化，由于功率器件涉及高電流，因此金屬必須比常規(guī)半導(dǎo)體器件厚。金屬，通常是通過(guò) PVD 沉積的鋁合金（通常是 AlSi 或 AlSiCu），可以是 3μm 或高達(dá) 10μm 厚的任何東西。接觸往往是基于長(zhǎng)溝槽的結(jié)構(gòu)，但也可以存在圓形或開(kāi)槽接觸。尺寸通常為 1-2μm 寬，具有低縱橫比。但隨著人們使用更先進(jìn)的設(shè)備，他們可能會(huì)將接觸尺寸縮小到 0.5μm 寬度，縱橫比為 2:1，將鋁放入低縱橫比觸點(diǎn)相對(duì)容易?！盞LA 公司 SPTS 的 PVD 產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) Chris Jones 說(shuō)。
盡管如此，供應(yīng)商仍在繼續(xù)開(kāi)發(fā)基于硅的 IGBT。在研發(fā)方面，供應(yīng)商和大學(xué)正在研究新奇的設(shè)備。
例如，在 2020 年 IEDM 會(huì)議上，多家實(shí)體發(fā)表了一篇關(guān)于 3.3kV 背柵 IGBT(BC-IGBT)的論文，東京大學(xué)、三菱、東芝等為這項(xiàng)工作做出了貢獻(xiàn)。
BC-IGBT由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成?！癐GBT的一個(gè)主要缺點(diǎn)是由于其基帶中電荷載流子的積累，其開(kāi)關(guān)頻率相對(duì)較低，通過(guò)使用背面MOS柵極加速電子漏極和空穴注入阻塞，關(guān)斷損耗降低了60%以上?！睎|京大學(xué)的研究人員Takuya Saraya說(shuō)。
開(kāi)發(fā)背柵IGBT的一種方法是制造兩個(gè)單獨(dú)的器件，然后將它們連接在一起，但這增加了成本。
在BC-IGBT技術(shù)中，研究人員開(kāi)發(fā)了一種傳統(tǒng)的IGBT。之后，他們?cè)谠O(shè)備底部實(shí)施了傳統(tǒng)的溝槽工藝，兩扇門(mén)都對(duì)齊了。