文|芯東西

編譯|張昀

芯東西3月28日消息，據(jù)EE Times ASIA 3月24日報道，ReRAM（可變電阻式存儲器）的特性使其在人工智能、存內(nèi)計算和旨在模仿人腦的應(yīng)用程序中具有顯著優(yōu)勢，成為下一代內(nèi)存的主要競爭者。

ReRAM是電阻式隨機存取存儲器，它可以將DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的讀寫速度與SSD（固態(tài)硬盤）的非易失性結(jié)合于一身，功耗更低、讀寫速度更快。ReRAM多用于神經(jīng)擬態(tài)計算（類腦計算），算力高、功耗低；但它還未完全成熟，也面臨著相變存儲器（PCM）和鐵電隨機存取存儲器（FRAM）等其他存儲器的競爭。

一、“潛力股”ReRAM：可提供高密度非易失性存儲和高效存內(nèi)計算

ReRAM多用于類腦計算，甚至成為了類腦計算的代名詞。密歇根大學(xué)教授Wei D.Lu稱，因為ReRAM可以自己執(zhí)行學(xué)習(xí)和推理功能，所以ReRAM陣列應(yīng)用在存內(nèi)計算架構(gòu)時很有潛力。ReRAM還支持雙向數(shù)據(jù)流，而更大的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)使用具有平鋪MPU架構(gòu)的模塊化系統(tǒng)來提高吞吐量。

去年，電子領(lǐng)域頂會IEDM（國際電子器件大會）匯集了有關(guān)推進各種內(nèi)存類型的最新研究論文，很多人都致力于研究如何改進存內(nèi)計算、人工智能、機器學(xué)習(xí)以及類腦計算。

美國密歇根大學(xué)至少十年前就已經(jīng)開始開發(fā)ReRAM原型了。該大學(xué)電氣工程和計算機科學(xué)系教授Wei D.Lu說道，ReRAM具有提供高密度非易失性存儲以及高效存內(nèi)計算的潛力，而且支持ReRAM的加速器能夠突破馮·諾伊曼計算架構(gòu)的瓶頸。教授Wei D.Lu在IEDM發(fā)言時概述了一些器件，講了通過并行計算來處理大的AI模型，還談到了邊緣計算應(yīng)用程序的功率、延遲和成本問題。ReRAM還能支持雙向數(shù)據(jù)流，有更好促進存內(nèi)計算的潛力。

目前，具備并行計算能力的CPU在內(nèi)存方面仍會遇見問題。雖然GPU可以允許更快的內(nèi)存訪問，但教授Wei D.Lu稱，需要一種從根本上提高吞吐量和計算效率的新計算架構(gòu)。內(nèi)存保護單元（MPU）可以顯著提高并行性，還能將內(nèi)存與邏輯放在一起，從而實現(xiàn)設(shè)備級計算并更好地促進存內(nèi)計算。

二、ReRAM仍面挑戰(zhàn)，PCM也可改善存內(nèi)技術(shù)

教授Wei D.Lu稱ReRAM器件還未成熟，它還面臨三個關(guān)鍵挑戰(zhàn)：一是基于高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器的讀出電路；二是器件的非理想性，包括受單元間變化的器件的影響；三是ReRAM設(shè)備中非線性的以及不對稱電導(dǎo)更新后會嚴(yán)重降低訓(xùn)練的準(zhǔn)確度。

三個挑戰(zhàn)有各自的解決方案。第一個挑戰(zhàn)的解決方案包括使用多范圍量化和二元神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。教授Wei D.Lu稱，解決第二個挑戰(zhàn)可以使用2T2R架構(gòu)實現(xiàn)二進制權(quán)重或者采用有架構(gòu)意識的培訓(xùn)，這也有助于應(yīng)對第三個挑戰(zhàn)?；旌暇扔?xùn)練可以通過較低精度格式訓(xùn)練大型神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，來提升性能和計算，這也可以解決第二個和第三個挑戰(zhàn)。

除此之外，PCM也能改進存內(nèi)計算。IBM歐洲研究室（研究中心）一直在探索使用PCM來解決模擬存內(nèi)計算的溫度敏感性問題。IBM Research存內(nèi)計算小組成員Irem Boybat說道，隨著人工智能神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的蓬勃發(fā)展，計算機的計算效率問題還有待解決。深度學(xué)習(xí)是計算密集型的，如果人工智能要可持續(xù)發(fā)展，就必須采用顛覆性的新計算機范式。

Boybat還說道，語言模型的規(guī)模呈指數(shù)級增長。根據(jù)他的說法，大量數(shù)據(jù)會從內(nèi)存?zhèn)鬏數(shù)教幚韱卧?，這種情況不僅會加大傳輸成本，而且會留下大量碳足跡。

模擬存內(nèi)計算通過在內(nèi)存執(zhí)行某些計算任務(wù)來模糊內(nèi)存和處理之間的界限，并通過內(nèi)存設(shè)備的物理屬性來實現(xiàn)。Boybat說道，PCM能夠以非常密集的方式存儲信息并且其消耗的靜態(tài)功率可以忽略不計。過去一年內(nèi)，IBM Research公開了兩款基于PCM的存內(nèi)計算芯片，展示了基于PCM的存內(nèi)計算潛力。

IBM Research存內(nèi)計算小組還研究了“蘑菇型”結(jié)構(gòu)（mushroom-type）PCM的溫度敏感性。另外，根據(jù)放置在芯片下方的電阻加熱器及其溫度，預(yù)計芯片在30攝氏度到80攝氏度范圍內(nèi)不會出現(xiàn)滯留問題。

IBM Research的實驗研究了溫度變化和漂移對用于存內(nèi)計算的多級PCM的影響。在IBM Research AI Hardware Center（IBM研究院AI硬件中心）的支持下，IBM Research的研究團隊發(fā)現(xiàn)，盡管PCM表現(xiàn)出與電導(dǎo)相關(guān)的溫度敏感性，但在電導(dǎo)狀態(tài)應(yīng)用的時間-溫度曲線中，其歸一化分布保持相對恒定。該研究團隊還開發(fā)了一個可靠的統(tǒng)計模型來探究溫度對漂移和電導(dǎo)的影響，并根據(jù)PCM電導(dǎo)測量對其進行驗證。

該研究團隊使用超一百萬個PCM設(shè)備證明：在33攝氏度到80攝氏度的環(huán)境溫度變化下，用簡單的補償方案有可能實現(xiàn)并保持各種網(wǎng)絡(luò)的高推斷精度。

三、基于ReRAM的類腦計算：速度每三個月翻一番

人工智能計算的使用增加使得受大腦啟發(fā)的硬件對于人工智能的發(fā)展至關(guān)重要。以Liu Ming為代表的中科院微電子研究所和復(fù)旦大學(xué)的研究人員們介紹稱，人工智能計算使用速度推動了基于ReRAM的類腦計算（BIC）工作。實現(xiàn)類腦計算的方式包括存內(nèi)計算和神經(jīng)擬態(tài)計算。

Liu Ming說道，基于ReRAM的類腦計算速度每三個月就可以翻一番。新的存內(nèi)技術(shù)可以在短期內(nèi)增強現(xiàn)有的層次結(jié)構(gòu)，但是類腦計算能在中長期突破馮·諾伊曼計算架構(gòu)瓶頸。

類腦計算模型包括人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（ANN）和脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（SNN）等不同的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。其中，ANN能夠處理空間域中的連續(xù)信號；SNN模仿了大腦的工作方式，更具生物可能性。Liu Ming稱，ReRAM具有豐富的開關(guān)動態(tài)，可以支持大規(guī)模集成、低功耗外圍設(shè)備和用于構(gòu)建類腦計算芯片和系統(tǒng)的特定應(yīng)用架構(gòu)，為類腦計算提供了一個理想的平臺。

ReRAM SNN將事件驅(qū)動表示并集成了多核結(jié)合的芯片，其計算密度高、能效高，能為高性能計算提供潛力，在低功耗下執(zhí)行的芯片將成為現(xiàn)實。Liu Ming說道，在許多其他機構(gòu)從模擬存內(nèi)計算開始進行了十多年的研究之后，集成SNN多核將很快實現(xiàn)。然而，如果要開發(fā)適用于實際應(yīng)用的類腦計算芯片，研究人員在架構(gòu)層面仍有許多探索工作要做。

因此ReRAM在人工智能和類腦計算應(yīng)用方面有著很大的潛力，不過它還面臨著FRAM的競爭。IEDM同樣關(guān)注磁阻隨機存取存儲器，2021年的IEDM中，有一整天關(guān)于磁阻隨機存取存儲器的會議和兩個IEEE Magnetics Society（IEEE磁學(xué)會）的活動。

法國原子能委員會電子與信息技術(shù)實驗室CEA-Leti，演示了世界上第一個基于FRAM的130nm 16-kbit陣列，并期望其商業(yè)化。超低功耗、高速、高耐用性且與CMOS兼容的BEOL FRAM存儲器使用基于HfO2（二氧化鉿）的新型鐵電材料，該材料不含鉛，比PZT（鋯鈦酸鉛壓電陶瓷）更環(huán)保。

FRAM的例子包括嵌入式應(yīng)用程序，例如物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和可穿戴設(shè)備。這項工作得到了歐盟3eFERRO聯(lián)盟項目的支持，該項目旨在生產(chǎn)新的鐵電材料，使FRAM成為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中具有競爭力的非易失性存儲器候選者。

此外，盡管許多IEDM研究論文傾向于在人工智能、類腦計算和存內(nèi)計算等前沿應(yīng)用中使用新興存儲器，但推進現(xiàn)有存儲器（如動態(tài)隨機存取存儲器）仍然是許多研究人員的重點。

在IEDM上，英特爾發(fā)表了多篇論文，包括規(guī)模改進和為芯片帶來新功能。英特爾圍繞混合鍵合互連的設(shè)計、工藝和組裝挑戰(zhàn)，提出了將封裝互連密度提高10倍以上的目標(biāo)。2021年7月，英特爾宣布推出Foveros Direct，它支持10μm以下的凸塊間距，從而使3D堆疊的互連密度數(shù)量級提高。

IEDM的部分論文還探討了英特爾如何通過堆疊多個CMOS晶體管的方法來應(yīng)對預(yù)期的后FinFET時代，該方法旨在通過每平方毫米集成更多晶體管來實現(xiàn)30%到50%的邏輯擴展改進，以繼續(xù)推進摩爾定律。推進摩爾定律的另一項努力包括研究利用僅有幾個原子厚的新型材料，來制造克服傳統(tǒng)硅通道限制的晶體管——使芯片單位面積增加數(shù)百萬個晶體管，從而推動即將到來的“埃米時代”。

英特爾還概述了一項新研究：通過在300mm晶圓上集成基于GAN的電源開關(guān)與基于硅的CMOS，研究硅的新功能，這將實現(xiàn)CPU的低損耗、高速供電，同時減少主板組件和空間。這樣新的先進封裝和制造工藝或許會幫助現(xiàn)有存儲器在人工智能等新興應(yīng)用上，釋放新的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

結(jié)語：ReRAM仍面臨競爭

ReRAM作為當(dāng)前類腦計算的主要載體，它在高密度非易失性存儲以及存內(nèi)計算方面都有很大優(yōu)勢?；赗eRAM的類腦計算還能在中長期突破馮·諾伊曼計算架構(gòu)瓶頸，它支持多種不同的AI算法，具有算力高、功耗低的特點。

但同時，ReRAM并不完全成熟，它仍有器件非理想性、基于高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器的讀出電路等構(gòu)成的問題；它還面臨著PCM、FRAM的競爭。

來源：EE Times ASIA