2024年IEEE國際電子器件會議上，英特爾旗下芯片代工業(yè)務部門對外展示了多項技術突破，在新材料方面，公司展示了減成法釕互連技術（subtractive Ruthenium），最高可將線間電容降低25% ，有助于改善芯片內互連。封裝工藝上，英特爾代工還公布了一種用于先進封裝的異構集成解決方案，能將吞吐量提升高達100倍，實現(xiàn)超快速的芯片間封裝（chip-to-chip assembly）。
此外，為進一步推動全環(huán)繞柵極（GAA）微縮，英特爾還推出了硅基RibbionFET CMOS （互補金屬氧化物半導體）技術、用于微縮的2D場效應晶體管（2D FETs）的柵氧化層（gate oxide）模塊等。