3月19日,中微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯3月19日在2023年度業(yè)績說明會上表示,在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié),公司開發(fā)的12英寸高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶最先進的生產(chǎn)線上并用于5納米、5納米以下器件中若干關鍵步驟的加工;同時,公司根據(jù)先進集成電路廠商的需求持續(xù)進行設備開發(fā)和工藝優(yōu)化。在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié),公司的等離子體刻蝕設備已應用于128層及以上的量產(chǎn),同時公司根據(jù)存儲器件客戶的需求正在開發(fā)極高深寬比的刻蝕設備和工藝;公司也根據(jù)邏輯器件客戶的需求,正在開發(fā)更先進刻蝕應用的設備。
中微公司尹志堯:公司等離子體刻蝕設備已應用于128層及以上的量產(chǎn)
界面快報 · 來源:界面新聞
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