芯片股短線拉升，大港股份漲停，中微半導漲超10%，中微公司、盈方微、全志科技、芯原股份、力合微、國民技術等跟漲。消息面上，美國國防部已將中微公司、IDG資本從CMC清單中移除。

芯片權重股午后持續(xù)下跌，中微公司跳水跌超5%，海光信息跌超4%，中芯國際、北方華創(chuàng)跌超1%。

半導體板塊震蕩走強，艾森股份漲超10%，中微公司、拓荊科技漲超7%，北方華創(chuàng)、兆易創(chuàng)新、東微半導等跟漲。

2024年前三季度營收55.07億元，同比增長36.27%；歸母凈利潤9.13億元，同比下降21.28%。第三季度營收20.59億元，同比增長35.96%；歸母凈利潤3.96億元，同比增長152.63%。

今日早盤無主力資金凈流入的板塊，凈流出非銀金融、證券、電子等板塊，其中非銀金融板塊凈流出超230億元。個股方面，天風證券漲停，主力資金凈買入2.54億元位居首位，中微公司、國民技術、大眾交通獲主力資金凈流入居前；東方財富遭凈賣出超53億元，中信證券、同花順、太平洋主力資金凈流出額居前。（財聯(lián)社）

截至2024年9月30日10:40，漲超1.5%，上證50ETF(510050)沖擊9連漲。

中微公司(688012.SH)公告稱，倪圖強因個人原因，申請辭去公司副總經(jīng)理、核心技術人員職務。楊偉因個人原因，申請辭去公司核心技術人員職務。辭職后，倪圖強、楊偉仍在公司任職。

2024年8月23日，中微公司(688012.SH)發(fā)布2024年半年度報告。截至2024年8月22日，共有331個機構投資者披露持有中微公司A股股份，合計持股量達4.04億股，占中微公司總股本的64.99%。

2024年上半年公司營業(yè)收入同比增長36.46%達到34.48億元；新增訂單47.0億元，同比增長約40.3%。公司最近兩年新開發(fā)的薄膜LPCVD設備上半年新增訂單1.68億元，新產(chǎn)品開始啟動放量。公司設備產(chǎn)品在先進封裝等領域不斷突破，持續(xù)獲得客戶訂單。公司目前訂單充足，預計2024年前三季度的累計新增訂單超過75億元，同比增長超過50%；公司預計2024年的累計新增訂單將達到110-130億元。公司預計2024年全年付運臺數(shù)將同比去年增長200%以上

中微公司盤中跌超10%，成交額近14億元。公司上半年歸屬于上市公司股東的凈利潤5.17億元，同比減少48.48%。

2024年上半年營收34.48億元，同比增長36.46%；歸母凈利潤5.17億元，同比下降48.48%；基本每股收益0.84元。2024年上半年公司新增訂單47.0億元，同比增長約40.3%。其中刻蝕設備新增訂單39.4億元，同比增速約50.7%；LPCVD上半年新增訂單1.68億元，新產(chǎn)品開始啟動放量。

上海電信回應出國8天流量費1.6萬；中微公司就被列入中國軍事企業(yè)清單正式起訴美國國防部；亞馬遜上線僅退款功能；Insta360創(chuàng)始人回應IPO風波

美國國防部稱，將中微公司列入清單的直接原因是其在2019年獲得由中國工信部參與頒發(fā)的“制造業(yè)單項冠軍產(chǎn)品獎 ”。

8月16日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（簡稱中微公司）宣布，已向美國法院正式提交訴狀，起訴美國國防部將其列入中國軍事企業(yè)清單（簡稱“CMC清單”）的決定。???????中微公司表示，自被列入CMC清單以來，公司竭盡所能積極地同美國國防部進行溝通、澄清事實，提供了充分的證據(jù)證明其不符合CMC清單的認定標準，并要求其將中微公司從CMC清單中移除。然而，遺憾的是，截至正式起訴之日，中微公司仍未如愿。因此，中微公司不得不采取法律途徑，請求法院要求美國國防部撤銷其錯誤決定，以消除誤解，維護中微公司合法權益，并保障中微公司股東、客戶及合作伙伴的利益。中微公司一貫堅持合法、合規(guī)經(jīng)營，嚴格遵守國內(nèi)和國際法律法規(guī)，從未參與任何與軍事相關的活動。

臺基股份、上海貝嶺等8個交易日漲超45%。

中微公司(688012.SH)：擬10派3元，股權登記日5月30日

科創(chuàng)50跌逾1%，中微公司、中無人機、復旦微電跌逾5%。

中微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯3月19日在2023年度業(yè)績說明會上表示，中微公司絕大部分刻蝕設備的零部件已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而且在很短的時間內(nèi)，將全面實現(xiàn)自主可控的基礎。

中微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯3月19日在2023年度業(yè)績說明會上表示，在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，公司開發(fā)的12英寸高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶最先進的生產(chǎn)線上并用于5納米、5納米以下器件中若干關鍵步驟的加工；同時，公司根據(jù)先進集成電路廠商的需求持續(xù)進行設備開發(fā)和工藝優(yōu)化。在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，公司的等離子體刻蝕設備已應用于128層及以上的量產(chǎn)，同時公司根據(jù)存儲器件客戶的需求正在開發(fā)極高深寬比的刻蝕設備和工藝；公司也根據(jù)邏輯器件客戶的需求，正在開發(fā)更先進刻蝕應用的設備。