文｜半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
存儲芯片具有固有的周期性變化特征，作為主要產(chǎn)品的DRAM和NAND Flash的市場規(guī)模也存在著明顯的周期性波動。
01 存儲芯片大跌，是市場規(guī)律
從DRAM的價格周期看，自2012 年至今DRAM已經(jīng)經(jīng)歷了三輪周期。
第一輪周期：2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2為周期上行，主要驅(qū)動力為智能手機(jī)爆發(fā)，對 DRAM 的需求增長；2014年Q3至2016年Q2周期下行，主要是因為各廠商擴(kuò)產(chǎn)落地導(dǎo)致供大于求。
第二輪周期：2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行，主要驅(qū)動力為主要的存儲芯片廠商轉(zhuǎn)移產(chǎn)能至3D NAND Flash，DRAM 無擴(kuò)產(chǎn)計劃；2018年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是中美貿(mào)易摩擦導(dǎo)致全球下游需求萎靡，服務(wù)器、PC、筆記本電腦等需求不佳，DRAM供過于求。
第三輪周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2為周期上行，主要驅(qū)動力為疫情下，線上經(jīng)濟(jì)、居家辦公等需求拉動服務(wù)器、TV、PC 出貨激增， 5G 手機(jī)升級驅(qū)動單機(jī)容量升級，帶動 DRAM 價格回升。2021年Q3至今為周期下行，原因是隨著智能手機(jī)等消費(fèi)電子需求步入低迷，存儲廠商持續(xù)去庫存。
NAND Flash與DRAM的價格周期波動情況相似，自2012年至今也經(jīng)歷了三輪周期。
第一輪周期：2012年Q3至2015年Q4。其中2012年Q3至2013年Q1為周期上行，主要驅(qū)動力為智能手機(jī)的需求爆發(fā)。2013年Q2至2015年Q4周期下行，主要原因是PC 銷售量衰減，導(dǎo)致需求持續(xù)疲軟，同時各大存儲廠新增產(chǎn)能開出，存儲芯片整體供大于求。
第二輪周期：2016年Q1至2019年Q4。其中2016年Q1至2017年Q2周期上行，主要驅(qū)動力為非蘋果智能手機(jī)品牌的需求提振但大部分廠商良率爬升普遍較緩，供給下滑嚴(yán)重。2017年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是 廠商 3D NAND 良率提升、大幅擴(kuò)產(chǎn)，但其他部分如服務(wù)器、PC 及平板需求疲軟。
第三輪周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2，NAND Flash 價格處于震蕩狀態(tài)。主要矛盾是中美貿(mào)易摩擦對需求形成一定壓制與居家辦公對消費(fèi)電子需求的強(qiáng)烈提振。
2021年Q2至今，智能手機(jī)等消費(fèi)電子需求步入低迷，存儲廠商持續(xù)去庫存。
如此看來，DRAM和NAND市場都有天然的周期性，每輪周期時間大約3至4年，這雖然會導(dǎo)致劇烈價格和收益變化 ，但是屬于市場波動的正?，F(xiàn)象。
02 看好下半年？
從2021年下半年至今，DRAM和NAND Flash兩大內(nèi)存芯片價格已經(jīng)下跌長達(dá)20個月。各存儲芯片廠商正在集中減產(chǎn)、應(yīng)對庫存問題、節(jié)約資本開支，并推遲先進(jìn)技術(shù)的進(jìn)展，以應(yīng)對存儲器需求的疲軟。
為了應(yīng)對 3DNAND 和 DRAM 內(nèi)存需求放緩的問題，美光宣布將DRAM和NAND晶圓產(chǎn)量減少約20%，除此之外，美光還宣布將在2023年削減30%的資本開支。
SK 海力士也宣布削減2023年的資本支出50%以上，并對收益較低的存儲產(chǎn)品進(jìn)行減產(chǎn)。隨后在今年年初，有臺媒報道SK海力士已調(diào)降供國內(nèi)設(shè)施使用的晶圓產(chǎn)量10%。
鎧俠也做出了減產(chǎn)動作，調(diào)整日本四日市和北上NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，晶圓生產(chǎn)量將減少約30%。
西部數(shù)據(jù)宣布NAND閃存產(chǎn)量減少30%。
就在近日，三星一改之前堅決不減產(chǎn)的態(tài)度，宣布對存儲芯片進(jìn)行減產(chǎn)。三星電子表示，將把內(nèi)存芯片產(chǎn)量削減至“合理水平”，主要以PC內(nèi)存“DDR4”等通用產(chǎn)品為中心推進(jìn)。
隨著各家存儲器大廠紛紛大幅減產(chǎn)，存儲芯片供給端過?，F(xiàn)象將進(jìn)一步改善。近期，從海外三大存儲巨頭的預(yù)測來看，市場情況正在出現(xiàn)微妙變化。
據(jù)美光透露，存儲芯片庫存已至高點，后續(xù)有望迎來行業(yè)拐點。雖然目前存儲價格仍在下行，但廠商庫存壓力已達(dá)到峰值，后續(xù)有望逐步下降至安全水位。
SK海力士日前在股東大會上也透露，預(yù)計存儲芯片需求將在今年下半年復(fù)蘇，但不確定性依舊存在，公司今年資本開支將減半，不會進(jìn)一步減產(chǎn)。
鎧俠也認(rèn)為隨著今年中國經(jīng)濟(jì)全面重啟，客戶庫存水平逐季降低，市場需求將于今年下半年復(fù)蘇。
此外，在近日召開的CFMS 2023峰會上，中國存儲龍頭長江存儲的首席運(yùn)營官程衛(wèi)華在演講中也提到，得益于智能手機(jī)、服務(wù)器和個人電腦制造商的需求訂單，全球NAND閃存市場的供需將在今年下半年達(dá)到平衡。
值得注意的是，三星電子近日通知分銷商，將不再以低于當(dāng)前價格出售DRAM芯片。DRAM現(xiàn)貨價格日前停止下跌，明顯早于預(yù)期。據(jù)全球半導(dǎo)體觀察DRAMeXchange數(shù)據(jù)，最常見的DRAM產(chǎn)品之一DDR4 16Gb 2600的現(xiàn)貨價格在4月11日上漲0.78%，成為自2022年3月7日以來的首次價格上漲。
03 HBM報價大漲、NAND跌幅放緩
存儲市場的崩潰主要來自兩方面的原因，一方面是供過于求，目前全球存儲廠商都在奮力減產(chǎn)并且已有所成效。另一方面則是源于市場需求低迷，伴隨著全球經(jīng)濟(jì)回暖以及AIGC的拉動，或許有望一掃陰霾迅速回暖。
近日，AIGC大熱，對于AI服務(wù)器需求大增，而AI服務(wù)器所需DRAM容量為常規(guī)服務(wù)器的8倍，NAND Flash是常規(guī)服務(wù)器的3倍，直接拉動DRAM和NAND需求大幅增長。2023年服務(wù)器使用的DRAM將超過智能手機(jī)，成為DRAM的第一大應(yīng)用場景。
HBM突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代DRAM解決方案。據(jù)悉，2023年開年后三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單快速增加，價格也水漲船高，近期HBM3規(guī)格DRAM價格已上漲5倍。
目前，HBM主要被安裝在GPU、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器、交換器）、AI加速器、超級計算機(jī)及高效能服務(wù)器上，約占整個DRAM市場的1.5%，整體市占率水平尚低。但隨著AI技術(shù)不斷擴(kuò)大對高算力的需求，HBM銷售量有望迎來快速增長。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2023—2025年HBM市場CAGR有望成長至40%-45%以上，至2025年市場規(guī)模有望達(dá)25億美元，市場需求快速提升。
此外，AI大模型龐大的數(shù)據(jù)集需要更大容量的NANDFlash存儲數(shù)據(jù)。據(jù)悉，GPT-3的參數(shù)量已達(dá)1750億個，GPT-4則需要更多。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度，NAND閃存合約價格大跌20%～25%，今年第一季度NAND閃存均價跌幅有所收斂，至10%～15%，第二季度將繼續(xù)下跌，但跌幅將放緩至5%～10%。
04 相關(guān)廠商迎來急單潮
隨著存儲芯片下游持續(xù)消化庫存，大廠減產(chǎn)幾乎已“減無可減”，加上三星也傳出有意調(diào)控產(chǎn)能，恐導(dǎo)致存儲價格隨時反彈，因而出現(xiàn)逢低價大量補(bǔ)貨的買氣，相關(guān)廠商已迎來急單潮。
力成表示，客戶開始加大下單力道，今年狀況將優(yōu)于預(yù)期。群聯(lián)也透露，客戶提前回補(bǔ)庫存，訂單量明顯回升約兩成。力成是全球存儲封測龍頭，群聯(lián)則是NAND Flash控制器芯片大廠，近期兩家大廠接單同步報喜，率先感受到市況轉(zhuǎn)強(qiáng)，透露整體存儲市場正快速復(fù)蘇當(dāng)中。
力成曾在3月中旬的法說會上表示今年一季度運(yùn)營比過往淡季還淡，第二季起才有望緩步回升，但時隔僅半個月，情況似乎就出現(xiàn)了大轉(zhuǎn)變。力成CEO謝永達(dá)直言，隨著業(yè)界庫存逐步見底，近期客戶急單涌入，公司對今年的展望與看法將優(yōu)于原先預(yù)估。謝永達(dá)說，存儲市場相比邏輯芯片市場更晚進(jìn)入修正，也較晚回溫，并且存儲業(yè)者多數(shù)都擁有晶圓廠，減產(chǎn)力度不敢太重，隨著客戶庫存去化差不多到一個段落，產(chǎn)業(yè)自然開始恢復(fù)拉貨力道。
群聯(lián)CEO潘健成指出，目前NAND Flash報價相當(dāng)便宜，成功刺激終端需求，已觀察到市場需求正呈現(xiàn)倍數(shù)成長，研判會有其他存儲原廠再宣布減產(chǎn)，代表后續(xù)有機(jī)會迎來產(chǎn)業(yè)景氣回春。群聯(lián)已感受到客戶群提前回補(bǔ)庫存的急單需求，近期訂單量顯著回升約兩成。
如此看來，相信用不了多久存儲業(yè)便會寒風(fēng)不再，暖風(fēng)徐來。
05 即將到來的是好光景
江波龍高級副總裁、COO王景陽表示：“價錢下跌對我們這些做存儲的廠商來說，是很痛苦的事情，我們可能會虧錢，可能會有庫存壓力，但實際上，這對整個產(chǎn)業(yè)繁榮是大的利好，這個過程可能痛苦一點，但是應(yīng)該很快過去了?！?/p>
的確，等這波寒潮過去，到時候迎來的就是極好的光景。因為大容量存儲器的終端滲透率正不斷提升。
在手機(jī)市場上，中低端手機(jī)的存儲容量在向128/256GB發(fā)展，高端手機(jī)的存儲容量邁向了512GB，甚至1TB，手機(jī)內(nèi)存也邁向10+GB，尤其在中高端的安卓手機(jī)中越來越多地搭載12GB/16GB的LPDDR。
在PC市場上，今年會全面進(jìn)入512G和1T時代，并且會以1TB容量為主。不論是新一代大容量的移動端產(chǎn)品和消費(fèi)級SSD的迭代升級，還是層出不窮的創(chuàng)新應(yīng)用場景，未來消費(fèi)電子市場對于存儲行業(yè)來說依舊是重要的增長市場之一。
除此之外，在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，IT架構(gòu)創(chuàng)新與eSSD豐富場景的應(yīng)用，同樣推動著服務(wù)器的存儲容量快速向上發(fā)展。
因此整體來看，2022年的存儲市場規(guī)模有所下滑，但存儲容量規(guī)模仍略有增長。其中，全球NAND Flash容量增長了6%，達(dá)到了6100億GB，全球DRAM容量增長2%，達(dá)1900億GB。隨著線上業(yè)務(wù)不斷發(fā)展、海量數(shù)據(jù)持續(xù)增長，未來存儲市場也將迎來新一輪的需求變化。