文｜半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
存儲(chǔ)芯片正式開始漲價(jià)浪潮。
自此，存儲(chǔ)市場長達(dá)多半年的低迷態(tài)勢，終于迎來轉(zhuǎn)折。
存儲(chǔ)芯片的兩大主力產(chǎn)品 NAND 與 DRAM，在新一季度的市場表現(xiàn)也各不相同。
01、NAND，開始漲價(jià)
打響漲價(jià)第一槍的是NAND存儲(chǔ)大廠閃迪，其表示將于4月1日開始實(shí)施漲價(jià)，漲幅將超10%，該舉措適用于所有面向渠道和消費(fèi)類產(chǎn)品。
緊接著美光也告知將針對新訂單提高價(jià)格，平均漲幅約11%。3月25日，美光直接發(fā)布漲價(jià)函，預(yù)計(jì)此次漲價(jià)幅度將在10%~15%。
之后，SK海力士、三星相繼宣布將于4月同步上調(diào)NAND閃存價(jià)格。
根據(jù)渠道反饋，國產(chǎn)存儲(chǔ)公司的零售品牌致態(tài)宣布，將于4月起上調(diào)提貨價(jià)格，漲幅可能超過10%。
一系列消息接踵而至，在業(yè)內(nèi)引起軒然大波。
新一季度，NAND 芯片價(jià)格出現(xiàn)反彈，這主要?dú)w功于各大 NAND 龍頭果斷且迅速地調(diào)整減產(chǎn)措施。
隨著2024年NAND產(chǎn)品價(jià)格走勢疲軟，為提早應(yīng)對市場供過于求問題，美光、三星、SK海力士、鎧俠等原廠陸續(xù)從2024年第4季重啟減產(chǎn)措施，借此阻止NAND價(jià)格的下跌趨勢。
今年1月，美光新加坡NAND廠突發(fā)斷電，導(dǎo)致NAND供貨吃緊。群聯(lián)科技執(zhí)行長潘健成亦透露，雖從2024年12月已向美光下單采購，但近期卻意外發(fā)生交貨不足的問題。三星電子和SK海力士兩大韓廠的減產(chǎn)措施也在持續(xù)發(fā)酵，其中三星在3月的交貨量僅有原先訂單的20-25%。
其實(shí)，早在上個(gè)月，現(xiàn)貨市場的動(dòng)向就透出了一些不尋常的信號。
CFM的報(bào)價(jià)顯示，小容量的eMMC以及一些SSD產(chǎn)品的價(jià)格已悄然上升，個(gè)別渠道也開始了漲價(jià)的試探性動(dòng)作。
TrendForce近日發(fā)布報(bào)告稱，預(yù)計(jì)2025年第二季NAND Flash價(jià)格將止跌回穩(wěn)，環(huán)比增加0-5%。其中Client SSD合約價(jià)將季增3%-8%；Enterprise SSD合約價(jià)將持平第一季；eMMC合約價(jià)將與上季持平。NAND Flash Wafer合約價(jià)將季增10%-15%。
疊加上述存儲(chǔ)龍頭的最新漲價(jià)動(dòng)作，市場上已經(jīng)有人嗅到這一商機(jī)，開始囤積SSD了，盼著在NAND價(jià)格飆升之際大賺一筆。
02、DRAM，跌幅收斂
再看DRAM市場在今年第二季度的價(jià)格走向。
先說結(jié)論，盡管DRAM市場還沒有明確的漲價(jià)聲音傳出，但可以確定的是，第二季度DRAM市場價(jià)格跌幅將同步收斂。一般型DRAM價(jià)格跌幅將收斂至季減0%-5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%-8%。
具體數(shù)據(jù)方面：
在PC DRAM領(lǐng)域，DDR4價(jià)格走勢偏弱，環(huán)比下降3%-8%；DDR5價(jià)格環(huán)比基本持平。
在Server DRAM領(lǐng)域，DDR4跌幅低于市場預(yù)期，環(huán)比下降3%-8%；DDR5價(jià)格也環(huán)比基本持平。
在Mobile DRAM領(lǐng)域，LPDDR4X跌幅將收斂至季減0%-5%；LPDDR5X價(jià)格將季增0%-5%。
在Graphics DRAM領(lǐng)域，GDDR6跌勢將收斂至3%-8%；GDDR7價(jià)格將持平上季或緩跌，約下降0%-5%。
在Consumer DRAM領(lǐng)域，DDR3合約價(jià)環(huán)比持平，DDR4合約價(jià)季增0%-5%。
綜合來看，DRAM的價(jià)格還未來到正向增長區(qū)間。DRR5的合約價(jià)格大約是從今年2月起持續(xù)上漲，LPDDR5X的價(jià)格也相對穩(wěn)健，但DDR4、DDR3、GDDR6等產(chǎn)品還在給存儲(chǔ)市場“拖后腿”。
近日有研究機(jī)構(gòu)對8家相關(guān)企業(yè)進(jìn)行采訪后發(fā)現(xiàn)，很多觀點(diǎn)認(rèn)為“對賣家來說，沒有能夠替代中國的市場，再加上受到低價(jià)的中國產(chǎn)品影響，價(jià)格正在下降”。關(guān)于接下來的DRAM價(jià)格，企業(yè)認(rèn)為可能要到下半年才會(huì)上漲的觀點(diǎn)居多。
03、HBM,市場暴漲880%
近日，SK海力士表示未來 AI 內(nèi)存的需求前景光明。
預(yù)計(jì)今年HBM在SK海力士DRAM總銷售額中的占比將超過50%。SK海力士CEO兼總裁
郭魯正表示：“大型科技公司正在擴(kuò)大投資，以確保在人工智能市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。由于圖形處理單元(GPU) 和定制芯片 (ASIC) 的增加，我們預(yù)計(jì) HBM 的需求將出現(xiàn)爆炸式增長?！彼a(bǔ)充道，“今年的 HBM 市場預(yù)計(jì)將比 2023 年增長 8.8 倍以上，另一種 AI 存儲(chǔ)器企業(yè)固態(tài)硬盤 (SSD) 市場預(yù)計(jì)也將增長 3.5 倍”。此外，對于‘DeepSeek沖擊’，他持樂觀態(tài)度，并表示，如果各種 AI 生態(tài)系統(tǒng)被激活，將有助于在中長期內(nèi)增加（對 HBM 的）需求”。
為了繼續(xù)引領(lǐng)AI市場，SK海力士還將繼續(xù)準(zhǔn)備CXL等下一代技術(shù)和產(chǎn)品。郭魯正表示：“除了HBM以外，我們還準(zhǔn)備了CXL、LPCAMM2、SOCAMM等多種解決方案，從而不僅僅作為AI內(nèi)存供應(yīng)商，還能提供綜合解決方案?！?/p>
04、國產(chǎn)存儲(chǔ)廠商，蓄勢待發(fā)
如果說，以前的存儲(chǔ)市場主要被國際廠商所包攬，如今國產(chǎn)廠商的強(qiáng)勢出擊，硬生生把這一格局，撕開一道大口子。
在三星和SK海力士對華出口的存儲(chǔ)產(chǎn)品組合中，三星主要向中國供應(yīng)LPDDR、NAND Flash、圖像傳感器和顯示驅(qū)動(dòng)器IC等。SK海力士則專注于DRAM和NAND產(chǎn)品的生產(chǎn)和銷售。
從去年開始，隨著國產(chǎn)廠商競爭加劇，DDR3和DDR4內(nèi)存收益下滑，三星、SK 海力士、美光便在中國大陸的這一市場中逐漸淡出。
預(yù)計(jì)從今年夏季開始，由于這些主要廠商的退出，市場上DDR3和DDR4的供應(yīng)將顯著減少。而這些需求的承接方，正是大批國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片公司。
因此，在存儲(chǔ)市場復(fù)蘇之際，國產(chǎn)廠商有望迎來新的機(jī)遇。
從國內(nèi)市場來看，國產(chǎn)NAND產(chǎn)品近期漲價(jià)基本已成事實(shí)。
近日，一家國內(nèi)存儲(chǔ)模組廠商負(fù)責(zé)人表示，今年所有存儲(chǔ)芯片原廠的價(jià)格都在漲。幾家存儲(chǔ)芯片原廠的報(bào)價(jià)，在同一時(shí)期內(nèi)都會(huì)比較接近，差異不會(huì)很大。其中，“小容量NAND是這一輪漲價(jià)里最先有反應(yīng)的品類，也是最早反彈的品種”。
目前存儲(chǔ)芯片制造商轉(zhuǎn)向大容量NAND生產(chǎn)，小容量eMMC等產(chǎn)品制造轉(zhuǎn)由模組廠商承擔(dān)，受原廠晶圓定價(jià)影響。比如佰維存儲(chǔ)、江波龍等模組廠商均基于原廠NAND推出eMMC產(chǎn)品。
因此，在小容量市場復(fù)蘇之際，這兩家公司將同步受益。
佰維存儲(chǔ)在接受23家機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，在嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域，公司BGASSD已通過Google準(zhǔn)入供應(yīng)商名單認(rèn)證；在PC存儲(chǔ)領(lǐng)域，公司SSD產(chǎn)品目前已經(jīng)進(jìn)入聯(lián)想、宏碁、惠普、同方等國內(nèi)外知名PC廠商，此前佰維存儲(chǔ)就表示，其旗下SP406/416系列企業(yè)級PCIe4.0 SSD、SS621系列企業(yè)級SATA SSD，與聯(lián)想服務(wù)器完成兼容性測試并獲認(rèn)證，強(qiáng)化企業(yè)級市場布局。
技術(shù)研發(fā)層面，3月初，佰維存儲(chǔ)宣布，其自研的eMMC主控芯片SP1800已完成批量驗(yàn)證支持QLC顆粒并針對智能穿戴設(shè)備優(yōu)化功耗，同時(shí)具備端到端數(shù)據(jù)保護(hù)能力，適用于車規(guī)級應(yīng)用場景。
據(jù)悉，2024年，佰維存儲(chǔ)智能穿戴存儲(chǔ)業(yè)務(wù)收入同比大幅增長，2025年將深化與Meta等客戶在AI眼鏡領(lǐng)域的合作。
江波龍近日正式向香港聯(lián)交所遞交了發(fā)行境外上市外資股（H股），并在香港聯(lián)交所主板掛牌上市的申請。目前，江波龍?jiān)诋a(chǎn)品布局上持續(xù)發(fā)力，其首顆32Gbit 2D MLC NAND完成流片驗(yàn)證，覆蓋SLC/MLC多容量產(chǎn)品，適用于網(wǎng)絡(luò)通信、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。該公司目前擁有嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng)存儲(chǔ)和內(nèi)存條四大產(chǎn)品線，經(jīng)營三個(gè)主要品牌，分別是FORESEE、Zilia、雷克沙。
其次，目前國內(nèi)多家芯片廠商布局NAND存儲(chǔ)芯片。包括兆易創(chuàng)新、東芯股份、江波龍等。不過，兆易創(chuàng)新、東芯股份NAND產(chǎn)品均為2D SLC NAND。而本輪NAND漲價(jià)主要以3D NAND產(chǎn)品為主，而2D NAND今年價(jià)格始終平穩(wěn)，未見明顯價(jià)格拐點(diǎn)。
DRAM方面，北京君正于投資者互動(dòng)平臺表示，公司正在積極推進(jìn)DRAM產(chǎn)品的更新迭代，采用20nm工藝的新產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在2025年推出樣品，后續(xù)還將陸續(xù)推出更新工藝的DRAM產(chǎn)品。此外，北京君正還計(jì)劃在20nm工藝產(chǎn)品之后，繼續(xù)推進(jìn)更先進(jìn)工藝的DRAM產(chǎn)品研發(fā)。
05、存儲(chǔ)龍頭，期待回春
在剛剛過去的第一季度，存儲(chǔ)巨頭們過的可并不算如意。
美光：存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營收狂跌20%
近日，美光發(fā)布了截至2025年2月27日的2025財(cái)年第二財(cái)季財(cái)報(bào)，盡管在這一季度中美光實(shí)現(xiàn)營收80.5億美元，同比增長38%。但單拎出來其存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門（SBU）看，可以發(fā)現(xiàn)美光也面臨著存儲(chǔ)市場逆風(fēng)的壓力。
財(cái)報(bào)顯示，美光SBU營收14億美元，環(huán)比下降20%。
三星、SK海力士：對華出口暴跌
2024年，韓國芯片出口總額高達(dá)1330億美元，其中近四成來自中國訂單。
去年，三星和SK海力士這兩家公司依托中國《推動(dòng)大規(guī)模設(shè)備更新和消費(fèi)品以舊換新行動(dòng)方案》相關(guān)舉措，在華銷售額實(shí)現(xiàn)大幅增長。
三星電子3月12日公布的業(yè)務(wù)報(bào)告顯示，公司去年對華出口額同比增加53.9%，為64.9275萬億韓元，超過對美出口額61.3533萬億韓元。在公司對華出口額中，芯片銷售占絕大部分。另據(jù)三星電子審計(jì)報(bào)告數(shù)據(jù)，公司在中國西安的NAND工廠（銷售額11.1802萬億韓元，營業(yè)利潤1.1954萬億韓元）和上海的半導(dǎo)體銷售分公司（銷售額30.0684萬億韓元）去年銷售額也大幅提升。
SK海力士同樣在中國市場取得了穩(wěn)健增長。其無錫DRAM工廠去年不僅成功扭虧為盈，營業(yè)利潤達(dá)到5985億韓元，銷售額也同比增長64.3%，凈利潤同比大增65.4%。SK海力士在中國的銷售額為5.6萬億韓元，較前年有所增加。
暴漲之后，在2025年開年，形勢急轉(zhuǎn)直下。
最新數(shù)據(jù)顯示，今年一月，韓國對華芯片出口暴跌22.5%，2月跌幅擴(kuò)大至驚人的31.8%。行業(yè)預(yù)測，3月跌幅可能突破30%，芯片出口量或?qū)?chuàng)十年新低。
"以前是訂單接到手軟，現(xiàn)在倉庫堆滿芯片賣不出去。"韓國半導(dǎo)體行業(yè)人士近日感嘆，這個(gè)曾憑借存儲(chǔ)芯片傲視全球的產(chǎn)業(yè)，正經(jīng)歷著前所未有的寒冬。
三星、美光、SK海力士等廠商此前已經(jīng)退出SLC NAND Flash市場。出于成本效率因素考慮，市場預(yù)計(jì)后續(xù)海外存儲(chǔ)原廠可能逐漸退出MLC NAND Flash市場。隨著國際巨頭的逐漸淡出，國產(chǎn)存儲(chǔ)公司的發(fā)揮空間便更大了。
隨著三大存儲(chǔ)龍頭逐步轉(zhuǎn)向附加值更高的HBM、DDR5等領(lǐng)域。上個(gè)月，SK海力士宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產(chǎn)品 12 層（12Hi）HBM4 內(nèi)存，并在全球率先向主要客戶出樣了 12Hi HBM4。
AI大模型訓(xùn)練催生海量算力需求，HBM在DRAM市場的占比已近30%，預(yù)計(jì)到2026年HBM4將推動(dòng)定制化需求爆發(fā)。英偉達(dá)、AMD的新品發(fā)布周期，與三星、SK海力士的技術(shù)迭代形成共振，在此背景下，國際存儲(chǔ)龍頭便可在存儲(chǔ)市場的復(fù)蘇浪潮中享受更為豐厚的紅利。