文｜半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
?國(guó)內(nèi)市場(chǎng)DRAM現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè)11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下，NAND閃存價(jià)格顯示出穩(wěn)定跡象。
業(yè)內(nèi)估計(jì)，雙十一期間 DRAM 模組整體銷(xiāo)量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷(xiāo)量下降 16%，平均售價(jià)下降約 9%。在產(chǎn)品價(jià)格貢獻(xiàn)方面，2024年雙十一期間，SSD的銷(xiāo)售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實(shí)現(xiàn)了SSD品類(lèi)交易總額（GMV）和銷(xiāo)量的雙料第一，超過(guò)了三星。
進(jìn)入12月，隨著國(guó)內(nèi)促銷(xiāo)活動(dòng)結(jié)束以及海外圣誕節(jié)備貨工作的收尾，存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場(chǎng)進(jìn)入相對(duì)平穩(wěn)期。采購(gòu)需求的降低，讓現(xiàn)貨價(jià)格隨之平穩(wěn)，市場(chǎng)整體態(tài)勢(shì)無(wú)顯著變化。市場(chǎng)表示，經(jīng)過(guò)2～3個(gè)季度的庫(kù)存調(diào)整，庫(kù)存壓力已顯著緩解。預(yù)計(jì)制造商更嚴(yán)格的供應(yīng)控制將逐漸恢復(fù)補(bǔ)貨需求。也有業(yè)內(nèi)人士表示，近期有部分原廠控貨惜售，令部分低價(jià)資源出現(xiàn)回漲現(xiàn)象。
01、DDR4價(jià)格大跌
閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，在過(guò)去六個(gè)月中，隨著分銷(xiāo)渠道的連續(xù)萎縮，SSD和DRAM模塊的價(jià)格下降了20%以上。在連續(xù)兩個(gè)季度價(jià)格下降后，11月的現(xiàn)貨市場(chǎng)仍然出現(xiàn)波動(dòng)，過(guò)剩的供應(yīng)和疲軟的補(bǔ)貨需求將DRAM價(jià)格推至低于去年同期的水平。
11月的現(xiàn)貨市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，DDR4價(jià)格大幅下跌，4GB、8GB和16GB等容量的月度跌幅在8%至10%之間。自第四季度開(kāi)始以來(lái)，價(jià)格繼續(xù)逐步下降。DDR4 16GB 3200的價(jià)格從10月初的2.92美元下降到11月底的2.40美元，累計(jì)下降了17.8%。同樣，DDR4 4GB eTT的價(jià)格在兩個(gè)月內(nèi)下降了16%。相比之下，DDR5的價(jià)格保持得更為穩(wěn)定，同期僅下降了中個(gè)位數(shù)。
從國(guó)內(nèi)消費(fèi)電子市場(chǎng)來(lái)看，DDR4內(nèi)存自2014年問(wèn)世以來(lái)，憑借其穩(wěn)定的性能、廣泛的兼容性和相對(duì)親民的價(jià)格，迅速成為了市場(chǎng)上的主流選擇。其工作電壓為1.2V，數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)1600-3200 MT/s，最大DIMM容量可達(dá)64GB，這些特性使得DDR4在性能、能效和成本之間取得了良好的平衡。
在當(dāng)前DDR4內(nèi)存價(jià)格普遍殺價(jià)的情況下，其性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)更加凸顯。對(duì)于大多數(shù)日常辦公、游戲娛樂(lè)和常規(guī)多任務(wù)處理的用戶(hù)來(lái)說(shuō)，DDR4內(nèi)存已經(jīng)完全能夠滿(mǎn)足需求，且無(wú)需承擔(dān)高昂的升級(jí)成本。
DDR3、DDR4等成熟產(chǎn)品價(jià)格走勢(shì)與消費(fèi)性產(chǎn)品終端銷(xiāo)售、供應(yīng)鏈庫(kù)存去化更直接相關(guān)。從當(dāng)前的市場(chǎng)售價(jià)來(lái)看，DDR4內(nèi)存的價(jià)格已經(jīng)降至歷史低位，市場(chǎng)分析，若消費(fèi)性市場(chǎng)需求好轉(zhuǎn)，2025年下半年成熟型存儲(chǔ)器行情，或有翻轉(zhuǎn)可能，但上半年應(yīng)仍呈現(xiàn)供過(guò)于求的狀況。
在國(guó)際廠商瞄準(zhǔn)DDR5與HBM的同時(shí)，DDR4在中國(guó)大陸市場(chǎng)還有不小的發(fā)展空間。
02、DDR5保持韌性
DDR5內(nèi)存作為新一代內(nèi)存技術(shù)，帶來(lái)了諸多改進(jìn)。其工作電壓降低至1.1V，數(shù)據(jù)傳輸率提升至3200-6400 MT/s，最大DIMM容量更是高達(dá)128GB。這些提升使得DDR5在帶寬、功耗和內(nèi)存容量方面均優(yōu)于DDR4，為處理大型數(shù)據(jù)集、運(yùn)行復(fù)雜軟件和進(jìn)行多任務(wù)處理提供了更高的效率。
但DDR5內(nèi)存仍沒(méi)有迎來(lái)全面普及時(shí)代。首先，DDR5內(nèi)存的價(jià)格雖然有所下降，但仍然明顯高于DDR4。對(duì)于預(yù)算有限的普通玩家來(lái)說(shuō)，升級(jí)成本可能是一個(gè)不小的負(fù)擔(dān)。其次，DDR5內(nèi)存需要兼容的主板和CPU支持，這意味著用戶(hù)在進(jìn)行升級(jí)時(shí)可能還需要更換其他硬件，進(jìn)一步增加了升級(jí)成本和時(shí)間成本。
對(duì)于普通玩家來(lái)說(shuō)，如果當(dāng)前的DDR4內(nèi)存已經(jīng)能夠滿(mǎn)足使用需求，那么升級(jí)DDR5內(nèi)存所帶來(lái)的性能提升可能并不顯著，而升級(jí)成本卻相對(duì)較高。因此，從性?xún)r(jià)比的角度出發(fā)，普通玩家在當(dāng)前階段將DDR4內(nèi)存升級(jí)為DDR5內(nèi)存的必要性并不大。
從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來(lái)看，大陸的DRAM制造商正通過(guò)推出極具性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品來(lái)擴(kuò)大市場(chǎng)份額，尤其是在DDR4內(nèi)存的生產(chǎn)上，降幅達(dá)到驚人的50%。原本由三星、SK海力士和美光制造的相同規(guī)格DDR4芯片，轉(zhuǎn)向中國(guó)制造商的產(chǎn)品，更具性?xún)r(jià)比。這種情況不僅使中國(guó)廠商獲得了新的客戶(hù)，還引發(fā)了外資企業(yè)的緊張氣氛，韓企也開(kāi)始調(diào)整生產(chǎn)策略，逐漸減少DDR4的產(chǎn)量，轉(zhuǎn)向更高端的DDR5和HBM產(chǎn)品。
前三存儲(chǔ)大廠在HBM3E的供應(yīng)進(jìn)度，將直接影響其對(duì)DDR5產(chǎn)品的供應(yīng)能力，也將直接影響DDR5的價(jià)格走勢(shì)。
傳統(tǒng)DRAM平均售價(jià)，預(yù)估從第一季至第四季，皆呈現(xiàn)個(gè)位數(shù)字緩跌，其中，DDR5價(jià)格走勢(shì)，較DDR4價(jià)格波動(dòng)小。
03、HBM沖出重圍
DDR4、DDR5雖然銷(xiāo)售不甚樂(lè)觀，但HBM在2024熱火朝天，同時(shí)市場(chǎng)也預(yù)測(cè)HBM樂(lè)觀的行情會(huì)持續(xù)到2025年。彭博預(yù)計(jì)到 2033 年，使用 HBM 的 AI 芯片預(yù)計(jì)將以每年 17% 的速度增長(zhǎng)至超過(guò) 1900 萬(wàn)片，由于 AI 模型復(fù)雜性的增加，每片芯片的 HBM 需求也將以同樣的速度增長(zhǎng)。這一增長(zhǎng)預(yù)計(jì)將使 HBM 總需求從 2023 年的 3.72 億 GB 增加到 87 億 GB，年增長(zhǎng)率為 37%。
機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)2025年DRAM平均售價(jià)年增率達(dá)17.0％；不過(guò)，DRAM平均售價(jià)上揚(yáng)的動(dòng)力，僅來(lái)自HBM產(chǎn)品。TrendForce預(yù)期，2025年DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年增36.3％至1,247.16億美元、位元出貨量年增24.7％、平均單價(jià)年增17.0％，三者皆呈雙位數(shù)成長(zhǎng)。HBM在DRAM市場(chǎng)的滲透率將逐步提升，預(yù)估2025年第四季度時(shí)，HBM滲透率約達(dá)10％，HBM3E顆粒預(yù)計(jì)占2025年HBM的85％。
就DRAM總體供需而言，2024年第四季到2025年第一季，呈現(xiàn)短暫供過(guò)于求后，至2025年第二季后，隨著市場(chǎng)開(kāi)始備貨，將轉(zhuǎn)為供不應(yīng)求。DRAM前三大廠正在積極備戰(zhàn)HBM市場(chǎng)，2025年將加快產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)至1b納米，主要供應(yīng)HBM3E；2026 年將再往1c納米邁進(jìn)，主要供應(yīng)最新產(chǎn)品HBM4。
全球云服務(wù)公司及大企業(yè)積極投資生成式AI將對(duì)DRAM的后續(xù)帶來(lái)積極影響。三星、SK海力士及美光等三大DRAM大廠，紛紛將研發(fā)與生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)向HBM，也影響了傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能及價(jià)格。
SK 海力士2025 年設(shè)置了AI芯片開(kāi)發(fā)部門(mén)。新設(shè)的 AI 芯片開(kāi)發(fā)部門(mén)整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開(kāi)發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等未來(lái)技術(shù)，新提拔的管理者多來(lái)自 HBM 和 DRAM 等核心產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力提升團(tuán)隊(duì)，凸顯公司對(duì)未來(lái)增長(zhǎng)的戰(zhàn)略布局。SK海力士計(jì)劃于2025年第一季度提供業(yè)界容量最大、層數(shù)最多的48GB、16層HBM產(chǎn)品樣品。
三星計(jì)劃在 2025 年初推出用于 HBM4 的 10 納米規(guī)模的第六代 (1c) DRAM；在 2026 年推出相同規(guī)模的第七代 (1d) DRAM；在 2027 年推出其首款亞 10 納米 (0a) DRAM。
供應(yīng)鏈消息人士透露，在政府資源的大力支持下，工藝良率可能不是芯片制造商的首要擔(dān)憂(yōu)。在 HBM 發(fā)展的過(guò)渡階段，隨著晶圓制造的增加，HBM 和 DDR5 之間的 IC 工藝交叉可能會(huì)導(dǎo)致 DDR5 供應(yīng)量出現(xiàn)快速波動(dòng)。這一初始增長(zhǎng)可能會(huì)深刻影響 DDR5 的消費(fèi)應(yīng)用市場(chǎng)。
04、NAND市場(chǎng)保持穩(wěn)定
最后，再來(lái)看一下NAND市場(chǎng)。
閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2024年第三季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模達(dá)190.2億美元，環(huán)比增長(zhǎng)5.7%，同比增長(zhǎng)93.9%。NAND價(jià)格從11月開(kāi)始穩(wěn)定，512GB晶圓價(jià)格從3.3美元小幅下降至3.2美元。然而，供應(yīng)鏈內(nèi)部人士指出，實(shí)際交易價(jià)格仍低于市場(chǎng)掛牌價(jià)格。11月初，消費(fèi)級(jí)512GB NAND晶圓的議價(jià)約為2.9美元，由于激烈價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，一些報(bào)價(jià)低至2.2-2.3美元。2024年早些時(shí)候的投機(jī)性期貨交易導(dǎo)致了庫(kù)存壓力和利息成本，導(dǎo)致三個(gè)月后的大規(guī)模拋售。
在經(jīng)歷了幾個(gè)動(dòng)蕩的季度后，只有2-3家主要的內(nèi)存模塊制造商保留了庫(kù)存，大多數(shù)較小的制造商已經(jīng)清空了他們的庫(kù)存。
自11月中旬以來(lái)，上游制造商收緊了發(fā)貨控制，使512GB晶圓的現(xiàn)貨價(jià)格與官方價(jià)格保持一致。這一策略旨在穩(wěn)定市場(chǎng)，因?yàn)槟甑装l(fā)貨逐漸減少，以保持價(jià)格穩(wěn)定并支持改善的年終財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
市場(chǎng)份額來(lái)看，BS BusinessWorld 和 Blocks and Files 報(bào)告稱(chēng)，三星是 NAND 市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，占有 36.9% 的份額，而 SK Hynix 和 Solidigm 合計(jì)占有 22.1%。值得注意的是，SK海力士在全球NAND市場(chǎng)的份額已經(jīng)從2020年的11.7%增長(zhǎng)到2024年第二季度的22.5%。
NAND市場(chǎng)廠商們沖刺層競(jìng)爭(zhēng)激烈，預(yù)計(jì)2025年NAND時(shí)代將進(jìn)入400層，2027年將達(dá)到1000層。韓國(guó)業(yè)內(nèi)專(zhuān)家認(rèn)為，三星、SK海力士、美光等都將在2025年推出400層NAND產(chǎn)品。
SK海力士已開(kāi)始量產(chǎn)321層1Tb TLC 3D NAND Flash產(chǎn)品。此前，NAND 產(chǎn)品的最高層數(shù)為238層，SK海力士成為第一家成功量產(chǎn) 300 層 NAND 產(chǎn)品的公司。新款 321 層 1Tb TLC 3D NAND 的數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提升了 12% 和 13%，數(shù)據(jù)讀取功率效率也提升了 10% 以上。
三星電子將于2026年推出超過(guò)400層的高容量、高散熱的垂直鍵合（BV）NAND閃存，此舉旨在增強(qiáng)其根本的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，并抓住目前落后的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（eSSD）市場(chǎng)的機(jī)遇。
內(nèi)存行業(yè)歷來(lái)專(zhuān)注于通過(guò)規(guī)模經(jīng)濟(jì)擴(kuò)大產(chǎn)能以降低成本。由于三星和 SK 海力士在 NAND 市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位，并有 DRAM 業(yè)務(wù)的支持，這些公司可能會(huì)繼續(xù)投資 NAND，盡管可能出現(xiàn)虧損，并利用 DRAM 的利潤(rùn)來(lái)增強(qiáng)其在 NAND 領(lǐng)域的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。