文｜半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
過去幾個(gè)季度，存儲市場經(jīng)歷了過山車般的波動(dòng)，尤其是在后疫情時(shí)代，用戶對消費(fèi)電子興趣減弱，整體市場動(dòng)態(tài)變化，需求降至歷史最低水平。
為了應(yīng)對這種情況，制造商紛紛通過降價(jià)來糾正庫存，一番努力之后，存儲市場終于重新步入上行周期。
然而，存儲行業(yè)的好勢頭未能持續(xù)多久。近日，一些不利的消息又一次傳來，存儲價(jià)格再次陷入動(dòng)蕩之中。這種持續(xù)的波動(dòng)不僅讓制造商們感到焦慮，也讓消費(fèi)者和整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)對存儲市場的未來充滿了擔(dān)憂。
01、同存儲類別，價(jià)格走勢分析
在存儲產(chǎn)品的世界里，價(jià)格的波動(dòng)往往反映著市場的動(dòng)態(tài)變化和行業(yè)的發(fā)展趨勢。下表展示了不同產(chǎn)品類別在不同時(shí)間段的價(jià)格數(shù)據(jù)，反應(yīng)了存儲市場在最近幾個(gè)月的價(jià)格走向。
從圖表中可以看出，無論是 DDR、SSD、LPDDR 還是 eMMC 產(chǎn)品類別，其價(jià)格走勢在觀察期內(nèi)均呈現(xiàn)下降趨勢。
對于DDR產(chǎn)品，無論是 DDR4 16Gb 3200 還是 DDR4 8Gb 3200，價(jià)格從7月30日到10月8日持續(xù)緩慢下降。這可能是由于存儲技術(shù)的不斷進(jìn)步，新的更高性能產(chǎn)品推出，使得舊款 DDR4 產(chǎn)品面臨競爭壓力，同時(shí)市場需求可能沒有明顯增長，導(dǎo)致供大于求，價(jià)格逐漸下降。
SSD產(chǎn)品中，OEM SSD 256GB SATA 和 512GB SATA 的價(jià)格也在持續(xù)下滑。這主要是因?yàn)镾SD 的生產(chǎn)成本逐漸降低，同時(shí)市場競爭激烈，廠商為了爭奪市場份額，不斷降低價(jià)格。
同時(shí)LPDDR與eMMC 的產(chǎn)品同樣呈現(xiàn)價(jià)格下降趨勢。智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備市場的增長放緩，對 LPDDR 的需求減少。與此同時(shí)，隨著市場上出現(xiàn)更先進(jìn)的存儲技術(shù)，對 eMMC 的需求減少。隨著 UFS 等更高性能存儲技術(shù)的普及，eMMC 的市場份額逐漸被壓縮。
02、近期存儲價(jià)格具體變化
具體到最近兩個(gè)月（9月和10月），由于對 PC 和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求低迷，DRAM 和 NAND 的合約價(jià)格出現(xiàn)明顯下降。
9月，DRAM 和 NAND的產(chǎn)品價(jià)格跌幅進(jìn)一步加大。根據(jù)DRAMeXchange 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，DDR4 8Gb 1Gx8 在 9 月底的合約價(jià)相比 8 月底環(huán)比下跌了 17.07%，至 1.7 美元。據(jù)稱，自去年 10 月以來，DRAM 價(jià)格一直在穩(wěn)步上漲，但 8 月下跌了 2.38%，這也是 DRAM 報(bào)價(jià)首次下跌。
與此同時(shí)，由于需求疲軟和庫存過剩，TLC NAND 閃存晶圓價(jià)格也出現(xiàn)下跌，這也導(dǎo)致 MLC 和 SLC 晶圓價(jià)格下跌，例如 128Gb 16Gx8 MLC（主要用于存儲卡和 U 盤等閃存產(chǎn)品）合約價(jià)在 9 月下跌 11.44% 至 4.34 美元，而 NAND 價(jià)格近半年來一直保持穩(wěn)定。
Trend Force 還提到，DDR4 產(chǎn)品的庫存明顯高于最新的 DDR5，因此DDR5內(nèi)存價(jià)格暫時(shí)未受波及。
10月，DRAM與NAND閃存的價(jià)格持續(xù)震蕩。根據(jù)近日TrendForce最新內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告顯示，DRAM方面，國慶黃金周期間現(xiàn)貨市場交易量持續(xù)下滑，年底前難有反彈跡象；NAND Flash方面，買家采購意愿不強(qiáng)，進(jìn)一步加劇市場供應(yīng)過剩，具體如下：
10月2日至10月8日，DRAM現(xiàn)貨市場成交量持續(xù)下滑，加上部分模組廠積極去庫存，帶動(dòng)現(xiàn)貨價(jià)格進(jìn)一步下跌，現(xiàn)貨市場供需格局不變，年底前難有反彈跡象，主流芯片現(xiàn)貨均價(jià)（DDR4 1Gx8 2666MT/s）由統(tǒng)計(jì)時(shí)間上周的1.934美元下跌至當(dāng)周的1.929美元，跌幅0.26%。
10月2日至10月8日期間，買家對于NAND閃存?zhèn)湄浺庠肝从刑嵘?，?dāng)周部分供應(yīng)商明顯降價(jià)銷售，整體市場銷售壓力仍未緩解，但整體狀況仍未見改善，買家采購意愿不強(qiáng)，更加劇了市場供應(yīng)過剩的局面，512Gb TLC Wafer現(xiàn)貨價(jià)格當(dāng)周下跌0.58%，報(bào)2.595美元。
03、存儲廠商，如何應(yīng)對？
NAND廠商減產(chǎn)，轉(zhuǎn)生產(chǎn)HBM
由于 IT 行業(yè)需求低于預(yù)期，3D NAND 內(nèi)存價(jià)格下跌，主要閃存制造商正在考慮調(diào)整產(chǎn)量并減少對非易失性內(nèi)存的投資。相反，他們可能會(huì)加大對 DRAM 生產(chǎn)的投資，因?yàn)槿斯ぶ悄苄袠I(yè)對 HBM 內(nèi)存的需求正在創(chuàng)下紀(jì)錄。
目前，所有主要的 3D NAND 制造商（Kioxia、美光、三星和 SK 海力士）都在考慮減少非易失性存儲器的產(chǎn)量，并減少對擴(kuò)建額外閃存容量的投資。如果他們這樣做，這將穩(wěn)定 3D NAND 的價(jià)格，并可能至少在短期和中期內(nèi)降低 DRAM 的價(jià)格。
鑒于目前的市場狀況，三星和 SK 海力士等公司將重點(diǎn)放在 DRAM 上，因?yàn)樵擃I(lǐng)域的需求更強(qiáng)勁。據(jù)悉，他們正在探索將部分 NAND 生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為專注于 DRAM 和 HBM 的可能性，其中包括三星可能轉(zhuǎn)換其 P4 生產(chǎn)線，以及 SK 海力士計(jì)劃對其清州 M14、M15X 和 M16 工廠進(jìn)行改造。
DRAM廠商轉(zhuǎn)移產(chǎn)能，擴(kuò)大DDR5生產(chǎn)
近日，DRAM廠商南亞科表示，由于第三季度銷售量下降了二十個(gè)百分點(diǎn)，這使得存貨水平?jīng)]有得到改善。不過，公司會(huì)在第四季度積極把 15% 的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 DDR5。預(yù)計(jì)從今年 12 月開始，DDR5 產(chǎn)品的貢獻(xiàn)會(huì)逐月增加。
南亞科解釋說，第三季出貨量季度減少主要是因?yàn)閰^(qū)域經(jīng)濟(jì)下滑以及需求減少。像在美國、日本，市場需求沒有增長，但還有一定支撐；而在中國、歐洲，市場需求明顯疲軟。中國臺灣地區(qū)的市場需求也受到中國大陸市場的影響，呈現(xiàn)衰退態(tài)勢。
所以，南亞科現(xiàn)階段運(yùn)營的最重要目標(biāo)是把新制程推向市場，積極推出需求高、成長性好的新產(chǎn)品。
SSD廠商啟動(dòng)降價(jià)策略
近日，全球第一大存儲模組廠商金士頓已經(jīng)啟動(dòng)了降價(jià)策略，開始對中低級產(chǎn)品進(jìn)行甩賣清庫存。
半導(dǎo)體分析師陸行之指出，中國臺灣存儲模組廠商的庫存普遍高達(dá)11個(gè)月，一旦傳統(tǒng)DRAM價(jià)格下滑，認(rèn)列庫存損失將成為常態(tài)。
陸行之表示，目前存儲市場庫存爆量，連存儲模組龍頭金士頓也撐不到一個(gè)月，選擇降價(jià)促銷一堆賣不出去的中低級消費(fèi)型存儲，他預(yù)計(jì)，接下來還會(huì)有廠商跟進(jìn)，尤其是要注意威剛、創(chuàng)見、群聯(lián)的動(dòng)向。
除金士頓外，市場消息稱三星移動(dòng)固態(tài)硬盤也迎來一輪大降價(jià)。據(jù)悉，此前價(jià)格一直在1600元左右浮動(dòng)的三星2TB 移動(dòng)固態(tài)硬盤 T9，近日產(chǎn)品價(jià)格一下子降了300元左右，價(jià)格接近1300元了。三星2TB 移動(dòng)固態(tài)硬盤T7的價(jià)格也有所下滑，當(dāng)前價(jià)格不足1000元，而在高峰時(shí)期其價(jià)格也曾高達(dá)1600元。
04、價(jià)格漲漲停停，主要受哪些影響？
存儲行業(yè)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的晴雨表，其市場表現(xiàn)與行業(yè)需求息息相關(guān)。供應(yīng)端和需求端的變化都有可能影響存儲行業(yè)的行情走向，如果要探究存儲價(jià)格的變化因素，也主要?dú)w因于這兩點(diǎn)。
上半年，存儲行業(yè)明顯復(fù)蘇的原因主要有以下兩點(diǎn)。
從需求端來看，人工智能熱潮的推動(dòng)、消費(fèi)電子的緩慢復(fù)蘇都會(huì)推動(dòng)存儲市場初步回暖。
比如：人工智能帶動(dòng)的大語言模型等技術(shù)的廣泛應(yīng)用需要大量數(shù)據(jù)存儲和處理；另外經(jīng)歷了長時(shí)間的低迷，消費(fèi)電子行業(yè)在今年步入緩慢復(fù)蘇，刺激了存儲行業(yè)的增長，部分廠商加緊備貨。
從供應(yīng)端來看，存儲廠商減產(chǎn)、產(chǎn)能向高附加值產(chǎn)品轉(zhuǎn)移也有助于存儲行情走向健康水位。
比如：前期市場下行階段，存儲芯片廠商主動(dòng)進(jìn)行減產(chǎn)，以調(diào)整市場供需關(guān)系。經(jīng)過一段時(shí)間的減產(chǎn)，市場供應(yīng)量逐漸減少，供需矛盾得到緩解，為價(jià)格回升和行業(yè)復(fù)蘇創(chuàng)造了條件。另外，廠商將部分產(chǎn)能向高附加值產(chǎn)品轉(zhuǎn)移，如高端的 DDR5 內(nèi)存、固態(tài)硬盤等。這些產(chǎn)品具有更高的性能和利潤空間，滿足了市場對高端存儲產(chǎn)品的需求，同時(shí)也提升了廠商的盈利能力。
然而，時(shí)間沒過多久，行業(yè)又吹來了冷風(fēng)，主要影響因素也是供與需兩點(diǎn)。
從需求端來看，全球經(jīng)濟(jì)形勢的不穩(wěn)定、技術(shù)更新?lián)Q代、消費(fèi)電子行業(yè)的實(shí)際復(fù)蘇情況未及預(yù)期都有可能打破存儲市場好不容易恢復(fù)的穩(wěn)定格局。
比如：經(jīng)濟(jì)形勢存在不確定性，可能影響消費(fèi)者和企業(yè)信心及支出，對存儲產(chǎn)品需求下降；技術(shù)更新?lián)Q代存在不確定性，若新技術(shù)發(fā)展不如預(yù)期或出現(xiàn)新替代方案，可能影響存儲行業(yè)需求；消費(fèi)電子行業(yè)的實(shí)際復(fù)蘇情況未及預(yù)期，又導(dǎo)致存儲市場冷風(fēng)再襲。
從供應(yīng)端來看，產(chǎn)能恢復(fù)過快、行業(yè)競爭激烈都容易使市場再度陷入困境。
比如：在行業(yè)復(fù)蘇初期，廠商可能會(huì)根據(jù)市場需求的增長預(yù)期逐步恢復(fù)產(chǎn)能。但如果產(chǎn)能恢復(fù)速度過快，超過了需求增長的速度，可能會(huì)再次導(dǎo)致市場供過于求，價(jià)格下跌。此外，存儲行業(yè)的高利潤吸引了新的競爭者進(jìn)入市場，不同廠商之間的搶單、壓價(jià)等惡性競爭都會(huì)對現(xiàn)有廠商的市場份額和價(jià)格形成壓力。
05、存儲價(jià)格未來走勢預(yù)測
短期來看，存儲市場的價(jià)格壓力仍將持續(xù)，Q4 DRAM市場僅HBM價(jià)格環(huán)比上漲。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，今年第四季度通用DRAM的價(jià)格預(yù)計(jì)將比上一季度上漲0%~5%，但隨著HBM在DRAM市場所占份額的上升，包括HBM在內(nèi)的所有DRAM的平均價(jià)格預(yù)計(jì)將比上一季度上漲8%~13%。
第三季度通用DRAM價(jià)格的增長率為8%~13%，但預(yù)計(jì)第四季度將停滯不前，原因是經(jīng)濟(jì)衰退導(dǎo)致消費(fèi)需求放緩，以及中國存儲器制造商的供應(yīng)增加。存儲制造商擴(kuò)大HBM生產(chǎn)將導(dǎo)致通用內(nèi)存供應(yīng)量下降，這將成為價(jià)格上漲的一個(gè)因素，但不足以抵消需求的低迷。TrendForce表示，預(yù)計(jì)第四季度的合約價(jià)格將下降5%~10%。此外，TrendForce還預(yù)計(jì)，LPDDR5X DRAM的價(jià)格將保持不變，因?yàn)槠鋷齑嫠较鄬线m。
長期來看，數(shù)據(jù)存儲行業(yè)的市場規(guī)模正持續(xù)擴(kuò)大，市場需求也在持續(xù)增長。得益于數(shù)字化、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和人工智能等技術(shù)的普及和應(yīng)用，大體上看，數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)攀升。SSD正在逐漸取代傳統(tǒng)機(jī)械硬盤（HDD）成為主流，SSD在性能、效率、節(jié)能、可靠性等方面已全面超越HDD，并且在價(jià)格方面，預(yù)計(jì)到2026年左右，SSD的價(jià)格優(yōu)勢也將大于HDD。此外，全閃存儲、DDR5、DNA存儲、全息存儲等新技術(shù)的發(fā)展，也將為數(shù)據(jù)存儲行業(yè)帶來新的增長點(diǎn)。
綜上所述，雖然存儲市場短期內(nèi)面臨價(jià)格走低與需求波動(dòng)的挑戰(zhàn)，但長期來看，技術(shù)創(chuàng)新、市場需求持續(xù)增長以及行業(yè)競爭的推動(dòng)將共同塑造一個(gè)更加多元化和高速發(fā)展的市場。